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电子束光刻实验室

利用电子束光刻技术(EBL)在III-V型材料上制备亚微米活性区、空气桥和T型门等超小结构。EBL用于研究集成电路的标度极限，以及极小维度下量子效应和其他新物理现象的研究。

一个典型的应用是对阿哈拉诺夫-玻姆效应的研究，其中电子沿着两条不同的路径行进，长度约为一微米，根据施加磁场的强度，可以进行建设性或破坏性干涉。其他应用包括研究弹道电子效应的器件，非常小结构中电子能级的量子化，以及单电子晶体管。要看到这些效果，通常需要20nm或更小的特征尺寸，以及在低温下操作。