研究机构
在自顶向下微型化的世界中,纳米线已成为通过自底向上方法促进进一步微型化的关键参与者,为实现纳米尺寸半导体材料的介观物理的最先进研究提供了广泛而独特的机会。这个MBE实验室致力于通过VLS技术生长高纯度和高结构质量的高纵横比III-V纳米线。
分子束外延(MBE)实验室是亚微米中心的核心。其目的是制备高纯半导体外延层(如砷化镓和铝砷化镓)。这种生长的层构成了大多数半导体器件的基础。亚微米中心的MBE系统包括两个生长室,另外还有六个用于基片的引入和预处理。一个生长室设计用于生产高纯度的材料,而另一个生长室更通用,设计用于生产更广泛的材料和结构。
扫描电子显微镜(SEM)具有极高的分辨率,可达1.5nm,主要用于评估超小型电子和光学器件。扫描电镜也是校准MBE系统的重要工具,由于具有非常高的对比度,通过检查晶圆截面,可以很容易地分辨出生长结构的层
处理系统包括等离子体蚀刻和等离子体沉积系统,以最小的损害较低的层蚀刻垂直墙壁,并沉积绝缘体,如SiO2和Si2N3。超高真空蒸发系统用于欧姆触点和各种金属栅极的金属薄膜沉积。退火系统用于激活欧姆触点,并允许电流通过设备传输
激光写入器是一种直接写入技术,取代了传统的掩模对准器。该仪器允许将复杂的设计转移到光刻胶上。这种仪器的主要优点是它的灵活性。这是更容易和更快的设计变化,因为没有刚性蒙版。此外,激光刻录机可实现高达400nm的高分辨率。仪器配备405nm波长二极管激光器,最大功率300mW。有两个书写头可用:一个是高分辨率(400nm),第二个是1µm分辨率,但曝光率要高得多。